Вступ в магістратуру

 

Якщо ти вступаєш до магістратури, тобі потрібно буде складати єдиний вступний іспит з іноземної мови (ЄВІ) у формі ЗНО, а для цього — зареєструватись для проходження ЄВІ з 11 травня до 03 червня (до 18.00) та 30 червня скласти англійську, німецьку, іспанську або французьку мови. Цього року єдиний вступний іспит з іноземної мови мають скласти всі вступники до магістратури КПІ ім. Ігоря Сікорького без виключень. Єдиний вступний іспит з іноземної мови або просто ЗНО з іноземної мови для вступу до магістратури буде проводитись за тією ж програмою, що і для вступу на перший курс на базі повної загальної середньої освіти, окрім частин «Писемне мовлення» та «Розуміння мови на слух». Вступники до магістратури складатимуть лише частини «Читання» та «Використання мови». Цього року можна зарахувати результаті ЄВі 2020 та 2021 років.

Ти вирішив змінити фах після одержання диплому бакалавра? Додаткове вступне випробування цього року складати не потрібно. Але скласти вступне фахове випробування потрібно обов’язково.

Документи для вступу до магістратури подаються виключно електронно. За державним замовленням можна подати до 5 заяв, кількість заяв за кошти фізичних та/або юридичних осіб — максимум 30. Для того, щоб подати документи, потрібно з 1 липня зареєструвати електронний кабінет. Подати заяви можна буде з 15 липня до 23 липня включно. Вступні випробування за обраним фахом можна буде скласти з 24 липня до 30 липня включно відповідно до розкладу робіт атестаційних комісій. Розклад роботи атестаційної комісії та графік проведення вступних випробувань можна знайти на сайті обраного тобою факультету чи інституту.

Рейтинг вступників

Конкурсний бал вступників (згідно положення), на основі якого складається рейтинг вступників (і відповідно це є визначальним хто стане студентом), розраховується як сума:

  • чисельного коефіцієнту оцінки академічного рейтингу студента
  • оцінки фахового вступного випробування, за шкалою від 100 до 200 балів (коефіцієнт 0,75)
  • випробування з іноземної мови (коефіцієнт 0,25)

При цьому оцінка академічного рейтингу також має дві складові:

  • академічну складову* – середнє оцінок відповідно до додатку до диплому бакалавра (коефіцієнт 2)
  • складова творчих досягнень (коефіцієнт 2)

*Оцінка академічної складової визначається відповідно до таблиці:

  • 95-100( А ) – 5 балів
  • 85-94( B ) – 4.5 бали
  • 75-84( С ) – 4 бали
  • 65-74( D ) – 3.5 бали
  • 60-64( E ) – 3 бали

Таким чином конкурсний бал (КБ) розраховується за формулою:

КБ = 0.25*П1 + 0.75*П2 + RA,
де П1 – результат ЗНО з іноземної мови (за шкалою від 100 до 200 балів),
     П2 – оцінка фахового вступного випробування (за шкалою від 100 до 200 балів),
     RA = 2RA + 2RT,
де RT – складова творчих досягнень (не більше ніж 5 балів),
     RA – академічна складова в п’ятибальній системі:

 

Складова творчих досягнень

Результати творчих досягнень враховуються з різним ваговим коефіціентом:

  • Стаття в університетській збірці наукових праць, публікація доповіді у збірці праць конференції, призове місце на конкурсі наукових робіт студентів університету  (факультету),  розроблення інноваційного проекту, прийняття до розгляду заявки на охоронний документ  України  на  об’єкт  інтелектуальної власності (Університетський) – 0,5
  • Стаття у всеукраїнському науковому журналі, публікація доповіді у збірці праць всеукраїнської конференції, участь у всеукраїнській виставці з експонатом,  призове  місце  у  всеукраїнській олімпіаді з фаху, отримання охоронного документа України на об’єкт інтелектуальної власності або заявка на закордонне патентування (Всеукраїнський) – 1
  • Стаття (доповідь) у міжнародних журналах і збірках наукових праць, участь у міжнародних виставках, конкурсах і олімпіадах з фаху або призове місце на всеукраїнському рівні цих заходів, отримання закордонного патенту (Міжнародний) – 2

Максимальна кількість балів творчих досягнень, що враховується під час визначення академічного рейтингу вступника, дорівнює 5.

Детальніше у 8-му пункті Положенні про прийом на навчання для здобуття ступеня магістра (pdf)

Процедура реєстрації на ЄВІ випускників КПІ ім. Ігоря Сікорського 2020, які бажають вступити до магістратури, триває з 12 травня до 05 червня

Процедура реєстрації на ЄВІ вступників до магістратури, які завершили навчання у попередні роки або вступають після завершення цього року іншого закладу вищої освіти, триває з 12 травня до 05 червня

 

Для  реєстрації вступників до магістратури КПІ ім. Ігоря Сікорського подаються скан-копії наступних документів (розмір кожного файлу – до 1 мегабайта, формати .jpg, .pdf):

паспорт (1, 2 сторінки) або ID (з двох боків);

облікова картка платника податків;

особисте фото на білому фоні (не менше 300 dpi).

Важливо!

Завантажений у кампус екзаменаційний листок – це повідомлення студента про завершення реєстрації, а не документ, з яким Ви підете до пункту тестування.

На пункт тестування абітурієнт має з’явитись з оригіналом листка з мокрою печаткою університету. В іншому випадку його не допустять до складання ЄВІ, отримати екзаменаційний листок можна особисто після завершення карантину у період до 01 липня у відбірковій комісії або засобами поштового зв’язку (вказується при реєстрації в кампусі).

Звертаємо увагу, що у 2020 році скасовано додаткове вступне випробування з спеціальності.

Прийом документів, відбіркова комісія ФТІ (вступ в магістратуру)  знаходиться в  корпусі 16, кімната 153,

телефон   (097) 050-04-15.

Перелік документів для вступу:

паспорт або інший документ, що засвідчує громадянство (оригінал та копії)

диплом бакалавра (оригінал та копії)

додаток до диплому бакалавра (оригінал та копії)

творчі досягнення, якщо такі наявні (наукові статті за обраною спеціальністю)

військовий документ (для хлопців; оригінал та копії)

ідентифікаційний код (оригінал та копії)

чотири фотографії

Копії завіряються у відбіркових комісіях факультетів та інститутів за наявності оригіналу. Для подання документів у відбіркових комісіях потрібно залишити копії документів.

Програми вступних випробувань

Офіційний портал Кафедри фізики енергетичних систем Київського політехнічного інституту